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IPW65R041CFD /INFINEON/英飞凌
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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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型号 IPW65R041CFD
漏源极电压（Vdss） 650V
品牌 INFINEON/英飞凌
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 41毫欧@33.1A，10V
封装 TO-247
阈值电压Vgs(th) 4.5V@3.3mA
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
技术 MOSFET（金属氧化物）
安装类型 通孔(THT)
数量 1000个
工作温度(Tj) -55°C~150°C
FET类型 N沟道
批号 21+
商品介绍
参数
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-247 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2185 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 68.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 68.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.041 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 255 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
联系方式
公司名称 深圳市港恒达半导体有限公司
联系卖家 肖生 
（QQ：474337047）
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地址 广东省深圳市
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